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Bruker FilmTek CD橢偏儀

簡(jiǎn)要描述：Bruker FilmTek CD橢偏儀
——多模態(tài)臨界尺寸測(cè)量和先進(jìn)薄膜計(jì)量學(xué)
FilmTekTM CD光學(xué)臨界尺寸系統(tǒng)是我們解決方案，可用于1x nm設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)及更高級(jí)別的全自動(dòng)化、高通量CD測(cè)量和高級(jí)薄膜分析。該系統(tǒng)同時(shí)提供已知和*未知結(jié)構(gòu)的實(shí)時(shí)多層堆疊特性和CD測(cè)量。
FilmTek CD利用多模測(cè)量技術(shù)來(lái)滿足與開發(fā)和生產(chǎn)中最復(fù)雜的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)特征相關(guān)的挑戰(zhàn)性需求。

所在城市：上海市
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新日期：2024-04-18
訪問(wèn) 量：2176

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詳細(xì)介紹

品牌	Bruker/布魯克	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
單次測(cè)量時(shí)間	2s	光斑尺寸	50 µmmm
光譜范圍	190 nm - 1000 nmnm	應(yīng)用領(lǐng)域	石油,電子,綜合
膜厚范圍	0 ? to 150 μm

Bruker FilmTek CD橢偏儀

——多模態(tài)臨界尺寸測(cè)量和先進(jìn)薄膜計(jì)量學(xué)

FilmTekTM CD光學(xué)臨界尺寸系統(tǒng)是我們的解決方案，可用于1x nm設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)及更高級(jí)別的全自動(dòng)化、高通量CD測(cè)量和高級(jí)薄膜分析。該系統(tǒng)同時(shí)提供已知和*未知結(jié)構(gòu)的實(shí)時(shí)多層堆疊特性和CD測(cè)量。

FilmTek CD利用多模測(cè)量技術(shù)來(lái)滿足與開發(fā)和生產(chǎn)中最復(fù)雜的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)特征相關(guān)的挑戰(zhàn)性需求。這項(xiàng)技術(shù)能夠測(cè)量極小的線寬，在低于10納米的范圍內(nèi)進(jìn)行高精度測(cè)量。

依賴傳統(tǒng)橢圓偏振儀或反射儀技術(shù)的現(xiàn)有計(jì)量工具在實(shí)時(shí)準(zhǔn)確解析CD測(cè)量的能力方面受到限制，需要在設(shè)備研究和開發(fā)期間生成繁瑣的庫(kù)。FilmTek CD通過(guò)獲得多模態(tài)測(cè)量技術(shù)克服了這一限制，該技術(shù)甚至為*未知的結(jié)構(gòu)提供了精確的單一解決方案。

FilmTek CD包括具有快速、實(shí)時(shí)優(yōu)化功能的專有衍射軟件。實(shí)時(shí)優(yōu)化允許用戶以最小的設(shè)置時(shí)間和配方開發(fā)輕松測(cè)量未知結(jié)構(gòu)，同時(shí)避免與庫(kù)生成相關(guān)的延遲和復(fù)雜度。

測(cè)量能力：

·厚度、折射率和光盤計(jì)量
·未知薄膜的光學(xué)常數(shù)表征
·超薄膜疊層厚度
·廣泛的關(guān)鍵尺寸測(cè)量應(yīng)用，包括金屬柵極凹槽、高k凹槽、側(cè)壁角、抗蝕劑高度、硬掩模高度、溝槽和接觸輪廓以及間距行走

系統(tǒng)組件：

標(biāo)準(zhǔn)：

可選：

用于在1x nm設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)及更遠(yuǎn)處實(shí)時(shí)多層堆疊特性和CD測(cè)量的多模測(cè)量技術(shù)
具有專有嚴(yán)格耦合波分析（RCWA）的多角度散射測(cè)量
正入射橢圓偏振光譜法
旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器設(shè)計(jì)的光譜廣義橢圓偏振法（4×4矩陣廣義法）
多角度、DUV-NIR偏振光譜反射（Rs、Rp、Rsp和Rps）
全CD參數(shù)測(cè)量，包括周期、線寬、溝槽深度和側(cè)壁角度
獨(dú)立測(cè)量薄膜厚度和折射率
拋物面鏡技術(shù)–在50×50µm功能范圍內(nèi)測(cè)量小光斑尺寸
快速、實(shí)時(shí)優(yōu)化允許以最短的設(shè)置時(shí)間實(shí)現(xiàn)廣泛的應(yīng)用程序（無(wú)需生成庫(kù)）
模式識(shí)別（Cognex）
盒式到盒式晶片處理
FOUP或SMIF兼容

SECS/GEM

為了適應(yīng)廣泛的預(yù)算和最終用途應(yīng)用，該系統(tǒng)還可作為手動(dòng)負(fù)載、臺(tái)式設(shè)備用于研發(fā)

典型應(yīng)用包括：

半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)

技術(shù)規(guī)格

膜厚范圍	0 ? to 150 µm
膜厚精度	NIST可追溯標(biāo)準(zhǔn)氧化物的±1.0?，100?至1µm
光譜范圍	190 nm - 1000 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
光斑尺寸的測(cè)量	50 µm
光譜分辨率	0.3 nm
光源	調(diào)節(jié)氘鹵素?zé)簦▔勖?000小時(shí)）
探測(cè)器類型	2048像素索尼線陣CCD陣列
電腦	帶Windows的多核處理器™ 10操作系統(tǒng)
測(cè)量時(shí)間	~2 sec (e.g., oxide film)

性能規(guī)格

Film(s)	厚	測(cè)量參數(shù)	精確 (1σ)
氧化物/硅	0 - 1000 ?	t	0.03 ?
	1000 - 500,000 ?	t	0.005%
	1000 ?	t , n	0.2 ? / 0.0001
	15,000 ?	t , n	0.5 ? / 0.0001
	150.000 ?	t , n	1.5 ? / 0.00001
氮化物 /硅	200 - 10,000 ?	t	0.02%
氮化物 /硅	500 - 10,000 ?	t , n	0.05% / 0.0005
光刻膠 / 硅	200 - 10,000 ?	t	0.02%
光刻膠 / 硅	500 - 10,000 ?	t , n	0.05% / 0.0002
多晶硅 /氧化物/硅	200 - 10,000 ?	t Poly , t Oxide	0.2 ? / 0.1 ?
多晶硅 /氧化物/硅	500 - 10,000 ?	t Poly , t Oxide	0.2 ? / 0.0005

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